электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQD4N50TM_WS

FQD4N50TM_WS

Вы можете купить FQD4N50TM_WS в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQD4N50TM_WS компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 500V N-Channel QFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-252
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Continuous Drain Current	2.6 A
Power Dissipation	2500 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	2.7 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns