электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → HUF76609D3ST

HUF76609D3ST

Вы можете купить HUF76609D3ST в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты HUF76609D3ST компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-252AA
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Continuous Drain Current	10 A
Power Dissipation	49000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.16 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	28 ns