электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

Вы можете купить IPB12CNE8N G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IPB12CNE8N G компании Infineon распространяется гарантия год

Производитель: Infineon

Описание: MOSFETs OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 67A

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-263
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	85 V
Continuous Drain Current	67 A
Power Dissipation	125000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0129 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	8 ns