электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IPB26CN10N G

IPB26CN10N G

Вы можете купить IPB26CN10N G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IPB26CN10N G компании Infineon распространяется гарантия год

Производитель: Infineon

Описание: MOSFETs N-CH 100V 35A

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-263
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Continuous Drain Current	35 A
Power Dissipation	71000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	38 S / 19 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.025 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	3 ns