электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IPD053N08N3 G

IPD053N08N3 G

Вы можете купить IPD053N08N3 G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IPD053N08N3 G компании Infineon распространяется гарантия год

Производитель: Infineon

Описание: MOSFETs OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 90A

Характеристики:

Configuration
Package / Case	TO-252-3
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage
Continuous Drain Current	90 A
Power Dissipation	150 W
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	5.3 m Ohms
Typical Turn-Off Delay Time