электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IPD33CN10N G

IPD33CN10N G

Вы можете купить IPD33CN10N G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IPD33CN10N G компании Infineon распространяется гарантия год

Производитель: Infineon

Описание: MOSFETs OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 27A

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-252
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Continuous Drain Current	27 A
Power Dissipation	58000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.033 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	4 ns