электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IPP04CNE8N G

IPP04CNE8N G

Вы можете купить IPP04CNE8N G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IPP04CNE8N G компании Infineon распространяется гарантия год

Производитель: Infineon

Описание: MOSFETs N-CH 85V 100A 3.9mOhms

Характеристики:

Configuration
Package / Case	TO-220-3
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	85 V
Continuous Drain Current	100 A
Power Dissipation	300 W
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	165 S / 83 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	4.2 m Ohms
Typical Turn-Off Delay Time