электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IPS09N03LB G

IPS09N03LB G

Вы можете купить IPS09N03LB G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IPS09N03LB G компании Infineon распространяется гарантия год

Производитель: Infineon

Описание: MOSFETs OptiMOS 2 PWR TRANS 30V 50A

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-251
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	50 A
Power Dissipation	58000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0093 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	3 ns