электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IRFW610BTM_FP001

IRFW610BTM_FP001

Вы можете купить IRFW610BTM_FP001 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IRFW610BTM_FP001 компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 200V N-Ch B-FET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Continuous Drain Current	3.3 A
Power Dissipation	3130 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	1.5 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns