электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → ISL9N306AS3ST

ISL9N306AS3ST

Вы можете купить ISL9N306AS3ST в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты ISL9N306AS3ST компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-263AB
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	75 A
Power Dissipation	125000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.006 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns or 29 ns