электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → ISL9N307AP3

ISL9N307AP3

Вы можете купить ISL9N307AP3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты ISL9N307AP3 компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-220AB
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	75 A
Power Dissipation	100000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.007 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	40 ns or 35 ns