электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IXFH26N50P

IXFH26N50P

Вы можете купить IXFH26N50P в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IXFH26N50P компании Ixys распространяется гарантия год

Производитель: Ixys

Описание: IGBT Modules HiPERFET Id26 BVdass500

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-247
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Continuous Drain Current	26 A
Power Dissipation	400000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	26 s
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.23 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns