электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IXFN26N90

IXFN26N90

Вы можете купить IXFN26N90 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IXFN26N90 компании Ixys распространяется гарантия год

Производитель: Ixys

Описание: Power MOSFETs 900V 26A

Характеристики:

Configuration	Single Dual Source
Package / Case	SOT-227B
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	900 V
Continuous Drain Current	26 A
Power Dissipation	600000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	28 s
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.3 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	24 ns