электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IXFN60N60

IXFN60N60

Вы можете купить IXFN60N60 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IXFN60N60 компании Ixys распространяется гарантия год

Производитель: Ixys

Описание: Power MOSFETs 600V 60A

Характеристики:

Configuration	Single Dual Source
Package / Case	SOT-227B
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Continuous Drain Current	60 A
Power Dissipation	700000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	60 s
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.075 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	26 ns