электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IXTP3N120

IXTP3N120

Вы можете купить IXTP3N120 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IXTP3N120 компании Ixys распространяется гарантия год

Производитель: Ixys

Описание: FRED Modules MOSFET Id3 BVdass1200

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-220
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	1100 V
Continuous Drain Current	3 A
Power Dissipation	150000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	2.6 s
Resistance Drain-Source RDS (on)	4 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	18 ns