электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → MGSF2N02ELT1G

MGSF2N02ELT1G

Вы можете купить MGSF2N02ELT1G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты MGSF2N02ELT1G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 20V 2.8A N-Channel

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	SOT-23 (TO-236)
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	2.8 A
Power Dissipation	1250 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.085 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	125 ns