электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → MLD1N06CLT4G

MLD1N06CLT4G

Вы можете купить MLD1N06CLT4G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты MLD1N06CLT4G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Protected 62V 1A N-Channel

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	DPAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	59 V
Continuous Drain Current	1 A
Power Dissipation	40000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	1.4 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.75 Ohm @ 5 V
Typical Turn-Off Delay Time	3 ns