электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → MMDF2P02ER2G

MMDF2P02ER2G

Вы можете купить MMDF2P02ER2G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты MMDF2P02ER2G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal PFET 25V 2.5A 250MO

Характеристики:

Configuration	Dual Dual Drain
Package / Case	SOIC N
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	25 V
Continuous Drain Current	2.5 A
Power Dissipation	2000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	2.8 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.25 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	41 ns or 28 ns