электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

Вы можете купить MMDF3N04HDR2G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты MMDF3N04HDR2G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 40V 3A N-Channel

Характеристики:

Configuration	Dual Dual Drain
Package / Case	SOIC N
Transistor Polarity	N and P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Continuous Drain Current	3.4 A
Power Dissipation	2000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	4.5 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.08 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns or 19 ns