электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → MTB30P06VT4G

MTB30P06VT4G

Вы можете купить MTB30P06VT4G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты MTB30P06VT4G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 60V 30A P-Channel

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Continuous Drain Current	30 A
Power Dissipation	125000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	7.9 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.08 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	52.4 ns