электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NE3210S01-T1B-A

NE3210S01-T1B-A

Вы можете купить NE3210S01-T1B-A в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NE3210S01-T1B-A компании CEL распространяется гарантия год

Производитель: CEL

Описание: MOSFETs Super Lo Noise HJFET

Характеристики:

Configuration	SO-1
Package / Case
Transistor Polarity	4 V
Drain-Source Breakdown Voltage	10 mA
Continuous Drain Current	165 mW
Power Dissipation
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	MOSFETs
Resistance Drain-Source RDS (on)	REEL
Typical Turn-Off Delay Time