электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NE3210S01-T1B

NE3210S01-T1B

Вы можете купить NE3210S01-T1B в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NE3210S01-T1B компании NEC/CEL распространяется гарантия год

Производитель: NEC/CEL

Описание: Small Signal GaAs FETs Super Lo Noise HJFET

Характеристики:

Configuration
Package / Case	SO-1
Transistor Polarity
Drain-Source Breakdown Voltage	4 V
Continuous Drain Current	10 mA
Power Dissipation	165 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	55 mS
Resistance Drain-Source RDS (on)
Typical Turn-Off Delay Time