электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NE3503M04-T2-A

NE3503M04-T2-A

Вы можете купить NE3503M04-T2-A в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NE3503M04-T2-A компании CEL распространяется гарантия год

Производитель: CEL

Описание: Small Signal GaAs FETs SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

Характеристики:

Configuration	MO-4
Package / Case	N-Channel
Transistor Polarity	2 V
Drain-Source Breakdown Voltage	10 mA
Continuous Drain Current	125 mW
Power Dissipation	55 mS
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	MOSFETs
Resistance Drain-Source RDS (on)	Reel
Typical Turn-Off Delay Time