электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

Вы можете купить NE3508M04-T2-A в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NE3508M04-T2-A компании NEC/CEL распространяется гарантия год

Производитель: NEC/CEL

Описание: Small Signal GaAs FETs L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

Характеристики:

Configuration
Package / Case	MO-4
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	2 V
Continuous Drain Current	10 mA
Power Dissipation	125 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	55 mS
Resistance Drain-Source RDS (on)
Typical Turn-Off Delay Time