электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NE3512S02-T1D-A

NE3512S02-T1D-A

Вы можете купить NE3512S02-T1D-A в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NE3512S02-T1D-A компании CEL распространяется гарантия год

Производитель: CEL

Описание: Small Signal GaAs FETs SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

Характеристики:

Configuration	SO-2
Package / Case	N-Channel
Transistor Polarity	2 V
Drain-Source Breakdown Voltage	10 mA
Continuous Drain Current	165 mW
Power Dissipation	55 mS
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	MOSFETs
Resistance Drain-Source RDS (on)	Reel
Typical Turn-Off Delay Time