электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NE651R479A-T1-A

NE651R479A-T1-A

Вы можете купить NE651R479A-T1-A в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NE651R479A-T1-A компании NEC/CEL распространяется гарантия год

Производитель: NEC/CEL

Описание: Discrete Power Devices L&S Band GaAs HJFET

Характеристики:

Configuration
Package / Case	79A
Transistor Polarity
Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Continuous Drain Current	220 mA
Power Dissipation	2.5 W
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)
Typical Turn-Off Delay Time