электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NIF9N05CLT1G

NIF9N05CLT1G

Вы можете купить NIF9N05CLT1G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NIF9N05CLT1G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Protected 52V 2.6A N-Channel

Характеристики:

Configuration	Single Dual Drain
Package / Case	SOT-223
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	59 V
Continuous Drain Current	2.6 A
Power Dissipation	1690 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	3.8 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.125 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	1120 ns or 1273 ns or 1000 ns