электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NP34N055IHE-E2

NP34N055IHE-E2

Вы можете купить NP34N055IHE-E2 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NP34N055IHE-E2 компании NEC Electronics America распространяется гарантия год

Производитель: NEC Electronics America

Описание: Single MOSFET Single MOSFET Nch

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-252
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	55 V
Continuous Drain Current	34 A
Power Dissipation	1200 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.019 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	12 ns