электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTB125N02RT4G

NTB125N02RT4G

Вы можете купить NTB125N02RT4G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTB125N02RT4G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 24V 125A N-Channel

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	24 V
Continuous Drain Current	18.6 A
Power Dissipation	2720 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	47 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0046 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	21 ns