электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTB13N10G

NTB13N10G

Вы можете купить NTB13N10G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTB13N10G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 100V 13A N-Channel

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	SOT-23 (TO-236)
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Continuous Drain Current	13 A
Power Dissipation	64700 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	6 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.165 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	36 ns