электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTB65N02RT4G

NTB65N02RT4G

Вы можете купить NTB65N02RT4G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTB65N02RT4G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 24V 65A N-Channel

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	SOD-123
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	25 V
Continuous Drain Current	65 A
Power Dissipation	62500 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	27 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0105 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	10 ns