электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTD110N02RT4G

NTD110N02RT4G

Вы можете купить NTD110N02RT4G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTD110N02RT4G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 24V 110A N-Channel

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	DPAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	24 V
Continuous Drain Current	32 A
Power Dissipation	2880 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	44 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0046 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	21 ns