электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTD12N10-1G

NTD12N10-1G

Вы можете купить NTD12N10-1G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTD12N10-1G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 100V 12A N-Channel

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	SOIC N
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Continuous Drain Current	12 A
Power Dissipation	56600 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	7 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.165 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	32 ns