электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTD23N03RT4G

NTD23N03RT4G

Вы можете купить NTD23N03RT4G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTD23N03RT4G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 25V 23A N-Channel

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	DPAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	25 V
Continuous Drain Current	4.5 A
Power Dissipation	1640 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	13 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.045 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	2 ns