электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTD4809N-1G

NTD4809N-1G

Вы можете купить NTD4809N-1G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTD4809N-1G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 58A 9MOHM

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	SOD-123
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	11.5 A
Power Dissipation	2000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	9 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.009 Ohm @ 11.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	5.3 ns or 2.3 ns