электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTGD3133PT1G

NTGD3133PT1G

Вы можете купить NTGD3133PT1G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTGD3133PT1G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal PFET 20V 2.3A 145MO

Характеристики:

Configuration	Dual
Package / Case	TSOP
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	2.2 A
Power Dissipation	1100 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	4 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.145 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	11 ns