электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTHD3100CT3G

NTHD3100CT3G

Вы можете купить NTHD3100CT3G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTHD3100CT3G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 20V +3.9A/-4.4A Complementary

Характеристики:

Configuration	Dual Dual Drain
Package / Case	SOD-123
Transistor Polarity	N and P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	2.9 A @ N Chnnel or 3.2 A @ P Channel
Power Dissipation	1100 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	6 S, 8 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.08 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	1.5 ns @ N Channel or 12.4 ns @ P Channel