электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTHD4508NT1G

NTHD4508NT1G

Вы можете купить NTHD4508NT1G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTHD4508NT1G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 20V 4.1A Dual N-Channel

Характеристики:

Configuration	Dual Dual Drain
Package / Case	SOD-123
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	3 A
Power Dissipation	1130 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	6 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.075 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	3 ns