электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTHD4P02FT1G

NTHD4P02FT1G

Вы можете купить NTHD4P02FT1G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTHD4P02FT1G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal -20V -3A P-Channel w/3A Schottky

Характеристики:

Configuration	Single Dual Drain
Package / Case	SOD-123
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	2.1 A
Power Dissipation	1100 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	5 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.155 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	27 ns