электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTHS2101PT1G

NTHS2101PT1G

Вы можете купить NTHS2101PT1G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTHS2101PT1G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal -8V -7.5A P-Channel

Характеристики:

Configuration	Single Hex Drain
Package / Case	SOD-123
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	8 V
Continuous Drain Current	5.4 A
Power Dissipation	1300 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	20 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.025 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	60 ns