электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

Вы можете купить NTMD6P02R2G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTMD6P02R2G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 20V 6A P-Channel

Характеристики:

Configuration	Dual Dual Drain
Package / Case	SOIC N
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	7.8 A
Power Dissipation	2000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	15 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.033 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	80 ns or 50 ns