электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTMS4107NR2G

NTMS4107NR2G

Вы можете купить NTMS4107NR2G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTMS4107NR2G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal NFET 19A 30V 3.4MOHM

Характеристики:

Configuration	Single Quad Drain Triple Source
Package / Case	SOIC N
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	15 A
Power Dissipation	16700 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	25 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0045 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	38 ns