электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTMSD2P102LR2G

NTMSD2P102LR2G

Вы можете купить NTMSD2P102LR2G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTMSD2P102LR2G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal 20V 3A P-Channel

Характеристики:

Configuration	Single Dual Drain
Package / Case	SOD-123
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	3.85 A
Power Dissipation	2000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	4.2 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.09 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	35 ns or 29 ns