электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTMSD3P303R2G

NTMSD3P303R2G

Вы можете купить NTMSD3P303R2G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTMSD3P303R2G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal -30V -3.05A P-Channel

Характеристики:

Configuration	Single Dual Drain
Package / Case	SOD-123
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	3.86 A
Power Dissipation	2000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	5 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.085 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	35 ns or 45 ns