электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → NTR1P02LT1G

NTR1P02LT1G

Вы можете купить NTR1P02LT1G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NTR1P02LT1G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: MOSFETs- Power and Small Signal -20V -1.3A P-Channel

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	SOT-23 (TO-236)
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	1.3 A
Power Dissipation	400 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.22 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns