электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → PHB110NQ06LT /T3

PHB110NQ06LT /T3

Вы можете купить PHB110NQ06LT /T3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты PHB110NQ06LT /T3 компании NXP распространяется гарантия год

Производитель: NXP

Описание: MOSFETs - Single N-CH TRENCH 55V

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	55 V
Continuous Drain Current	75 A
Power Dissipation	200 W
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	0.007 Ohm @10V
Resistance Drain-Source RDS (on)	46 ns
Typical Turn-Off Delay Time	87 ns