электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → PHD101NQ03LT /T3

PHD101NQ03LT /T3

Вы можете купить PHD101NQ03LT /T3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты PHD101NQ03LT /T3 компании NXP распространяется гарантия год

Производитель: NXP

Описание: MOSFETs - Arrays TAPE13 PWR-MOS

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	SOT-428
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	75 A
Power Dissipation	166 W
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	0.0055 Ohm @10V
Resistance Drain-Source RDS (on)	50 ns
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns