электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → PHT4NQ10T /T3

PHT4NQ10T /T3

Вы можете купить PHT4NQ10T /T3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты PHT4NQ10T /T3 компании NXP распространяется гарантия год

Производитель: NXP

Описание: MOSFETs - Arrays TAPE13 PWR-MOS

Характеристики:

Configuration	Single Dual Drain
Package / Case	SC-73
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Continuous Drain Current	3.5 A
Power Dissipation	6900 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	0.25 Ohm @ 10 V
Resistance Drain-Source RDS (on)	11 ns
Typical Turn-Off Delay Time	13 ns