электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → PHT8N06LT /T3

PHT8N06LT /T3

Вы можете купить PHT8N06LT /T3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты PHT8N06LT /T3 компании NXP распространяется гарантия год

Производитель: NXP

Описание: MOSFETs - Single N-CH TRENCH 55V 7.5A

Характеристики:

Configuration	Single Dual Drain
Package / Case	SOT-223
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	55 V
Continuous Drain Current	3.5 A
Power Dissipation	1.8 W
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	0.08 Ohm @5V
Resistance Drain-Source RDS (on)	25 ns
Typical Turn-Off Delay Time	15 ns