PMGD8000LN T/R
Вы можете купить PMGD8000LN T/R в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней.
На электронные компоненты PMGD8000LN T/R компании NXP распространяется гарантия год
Производитель: NXP
Описание: MOSFETs - Dual N-CH TRENCH DL 30V
Характеристики:
Configuration
Dual
Package / Case
SOT-363
Transistor Polarity
N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Continuous Drain Current
0.125 A
Power Dissipation
200 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
8 Ohm @4V
Resistance Drain-Source RDS (on)
25 ns
Typical Turn-Off Delay Time
90 ns
Datasheet (Техническое описание) PMGD8000LN T/R NXP
поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su
Цена на PMGD8000LN T/R
1 36.57 25 29.28 100 21.95 250 15.41 500 12.12 1,000 10.25 2,000 9.89 3,000 9.89 5,000 9.53 10,000 9.26
Цены в рублях с НДС
Минимальная партия:
1 шт.
Доступно:
8 шт.
Если в наличии нет, то отправьте запрос на поиск PMGD8000LN T/R
Купить PMGD8000LN T/R
(форма запроса)
Фото PMGD8000LN T/R
Изображение может отличаться от оригинала. Сообщить об ошибке .